PVD复合薄膜

名称描述内容

您当前的位置：

碳化硅 SiC（Silicon carbide）

采用磁控溅射与电子束蒸发工艺在各类基底上制备的碳化硅（SiC）薄膜，可根据应用需求定制膜厚与晶型比例，该薄膜具备宽禁带、高硬度、高热导率及优异的化学稳定性，是实现功率电子、高频器件与耐磨防护的关键材料，广泛应用于半导体制造、精密机械及新能源等领域

基础信息

中文名：碳化硅；化学式：SiC；英文名：Silicon carbide；CAS号：409-21-2。外观为无色至黑色晶体或粉末，常见晶型包括立方晶系（3C-SiC，β-SiC）和六方晶系（4H-SiC、6H-SiC，α-SiC）。相对密度约3.21 g/cm³，熔点约2700℃（分解）。莫氏硬度约9.5，仅次于金刚石。不溶于水和常规酸，溶于熔融碱，化学性质极为稳定

主要特点

一种宽禁带（约2.3~3.3 eV，取决于晶型）第三代半导体材料。薄膜形态下具备极高的击穿电场强度、高热导率及高饱和电子漂移速率。同时具有极高的机械硬度与优异的耐磨损、耐腐蚀性能。折射率较高（可见光区约2.5~2.7），在光学干涉与红外增透领域也有应用。与硅、氮化镓等基底晶格匹配良好，兼容高温与高压恶劣环境

应用范围

1. 功率电子与高温器件：用于制造SiC MOSFET、肖特基二极管等功率器件的功能层，适用于新能源汽车、光伏逆变器及轨道交通
2. 高频与射频器件：利用其高饱和电子漂移速率，用于5G/6G通信及雷达系统的高频高功率器件
3. 硬质耐磨与防护涂层：用于切削刀具、精密模具及机械密封部件的超硬耐磨防护
4. 光学与红外增透膜：利用其高折射率与红外透明特性，用于红外窗口、透镜的增透与保护涂层
5. 微机电系统（MEMS）：作为耐高温、耐腐蚀的结构层，用于极端环境下的MEMS传感器与执行器
6. 光催化与环境治理：作为宽禁带半导体，用于光催化降解污染物及光电化学分解水

高端PVD薄膜工程服务商

相关产品推荐