主要特点

一种n型非晶氧化物半导体材料，光学带隙约3.0~3.4 eV，对可见光透明。薄膜形态下电子迁移率可达10 cm²/Vs以上，较非晶硅高出一个数量级；关态电流极低，约比低温多晶硅（LTPS）TFT低约1000倍。Ga的引入可抑制氧空位形成，降低无意n型掺杂倾向；Zn则用于调节带隙与薄膜稳定性。薄膜可在低温（甚至室温附近）条件下沉积，适配柔性衬底与大面积均匀镀膜，与非晶硅面板制程兼容性好

应用范围

1. 薄膜晶体管（TFT）沟道层：作为IGZO-TFT的核心有源层，用于液晶显示器（LCD）、有机发光二极管（OLED）及量子点显示等平板显示驱动背板
2. 柔性显示与可穿戴设备：利用低温沉积特性，用于柔性OLED、可折叠显示屏及可穿戴电子器件的驱动电路
3. 高分辨率与大尺寸显示面板：高迁移率特性支持高像素密度、高刷新率面板，适用于8K及以上超高分辨率显示驱动
4. 透明电子器件：利用可见光高透特性，用于透明TFT、透明电路及透明传感器等
5. 新型存储器与神经形态器件：作为阻变存储器的功能层或人工突触器件的有源材料
6. 光电探测器与传感器：用于紫外/可见光探测器、气体传感器及生物传感器等