主要特点

一种宽禁带（约6.2 eV）III-V族半导体材料，具有极高的热导率（理论值可达320 W/m·K），是理想的散热与绝缘材料。薄膜形态下具备优异的压电特性与高声表面波速度，折射率约2.0~2.2。同时具备高硬度、耐高温、耐化学腐蚀及良好的抗辐射性能。与硅、碳化硅等半导体基底热膨胀系数匹配良好，兼容主流半导体工艺

应用范围

1. 功率电子与散热封装：作为高导热绝缘层，用于IGBT、LED及功率模块的陶瓷基板与封装散热
2. 声表面波与射频器件：利用其压电特性与高声速，用于高频SAW滤波器、谐振器及5G射频前端器件
3. 深紫外光电器件：作为宽禁带半导体，用于深紫外LED、紫外探测器及紫外激光器的功能层
4. 半导体与微电子工艺：作为高K绝缘层、缓冲层或MEMS器件的结构层，用于集成电路与微机电系统
5. 耐磨与耐腐蚀涂层：用于高温、强腐蚀环境下的机械部件表面防护及切削刀具涂层
6. 光学与传感器件：用于紫外-可见光区的光学保护膜、红外窗口增透膜及高温传感器