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膜层结构

叠层架构:Ti + Ag + Cu(金属复合导电薄膜)
基底兼容:单抛/双抛硅片、SOI、石英、光学玻璃、碳化硅、蓝宝石及其他化合物半导体晶圆等(支持定制各类衬底)
工艺制程:多靶连续磁控溅射(PVD物理气相沉积)
参数说明:各层膜厚、叠层顺序与表面特性均可按需定制开发

核心优势与综合性能

优异的导电与导热特性:高纯度Ag与Cu层协同作用,为半导体器件提供低电阻率的电流传输路径与高效的散热能力
良好的界面附着力与阻挡作用:Ti层作为底层粘附层,有效增强金属膜与半导体及氧化物基底的结合力,并抑制顶层金属向基底扩散
极高的红外反射与光学特性:致密的Ag层赋予膜系优异的红外反射能力,可用于特定波段的光学反射或等离激元增强应用
致密均匀与低表面粗糙度:采用磁控溅射工艺,膜层致密均匀,表面平整,满足半导体微纳加工与晶圆键合工艺对表面形貌的要求

典型应用

1. 电子器件电极与互连:用于芯片制造、显示面板或柔性电路中的金属电极、互连线路与重布线层
2. 电磁屏蔽与导电涂层:利用高导电金属层,用于高频电子设备、精密仪器外壳的电磁屏蔽
3. 红外反射与光学器件:利用Ag层的高红外反射特性,用于红外反射镜、光学滤光器件或节能玻璃
4. 电镀种子层与金属化基底:作为电镀铜或电镀其他金属前的导电种子层,为后续加厚提供优异基础
5. 新能源与光伏电极:用于太阳能电池、薄膜电池的导电电极与集流结构
6. 薄膜传感器与探测器件:作为敏感电极或等离激元增强基底,用于高灵敏度物理与生化传感器

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